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金融界2025年1月31日讯息，国度学问产权局信息显露，上海华虹宏力半导体制造有限公司苦求一项名为“半导体器件的变成措施”的专利，公开号CN 119384033 A，苦求日历为2024年10月。 专利概要显露，本发明提供一种半导体器件的变成措施，包括：提供衬底；履行第一有源区的P阱离子注入；在第一有源区的衬底上变成第一栅极层；在第二有源区的衬底上变成第二栅极层；履行无掩膜N型漏极轻掺杂离子注入；并吞光罩下履行第二有源区的N阱离子注入和P型漏极轻掺杂离子注入。在低成本、高性价比平台加工，将N阱离
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金融界2025年1月31日讯息，国度学问产权局信息显露，上海华虹宏力半导体制造有限公司苦求一项名为“半导体器件的变成措施”的专利，公开号CN 119384033 A，苦求日历为2024年10月。
专利概要显露，本发明提供一种半导体器件的变成措施，包括：提供衬底；履行第一有源区的P阱离子注入；在第一有源区的衬底上变成第一栅极层；在第二有源区的衬底上变成第二栅极层；履行无掩膜N型漏极轻掺杂离子注入；并吞光罩下履行第二有源区的N阱离子注入和P型漏极轻掺杂离子注入。在低成本、高性价比平台加工，将N阱离子注入与P型漏极轻掺杂离子注入共用并吞光罩；在栅极层刻蚀之后，保留栅极层刻蚀后的光阻层情况下进行无掩模N型漏极轻掺杂离子注入，幸免栅极层被N型轻参杂离子注入打穿。省略了变成N阱和N型漏极轻掺杂这两说念工艺的光罩。保留两说念LDD离子注入工艺下，保证NMOS管的热载流子效应性能，镌汰了衬底走电流，通过可靠性测试。
天眼查良友显露，上海华虹宏力半导体制造有限公司，拔擢于2013年，位于上海市，是一家以从事筹备机、通讯和其他电子拓荒制造业为主的企业。企业注册本钱2046092.7759万东说念主民币，实缴本钱2046092.7759万东说念主民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标技俩840次，学问产权方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还领有行政许可428个。
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